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SIJA22DP-T1-GE3

Name: Vishay SIJA22DP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJA22DP-T1-GE3
Price: 5.45 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

78-SIJA22DP-T1-GE3

制造商编号：

SIJA22DP-T1-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET PPAKSO8 N-CH 25V 64A

数据表:

SIJA22DP-T1-GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK SO-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	25 V
Id-连续漏极电流:	201 A
Rds On-漏源导通电阻:	740 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 16 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.2 V
Qg-栅极电荷:	83 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	48 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
商标:	Vishay / Siliconix
下降时间:	6 ns
正向跨导 - 最小值:	155 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	39 ns
典型接通延迟时间:	15 ns
单位重量:	506.600 mg

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Technical Resources

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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TrenchFET第四代MOSFET

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