DMT47M2SFVWQ-7

Name: Diodes Incorporated DMT47M2SFVWQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMT47M2SFVWQ-7
Price: 8.93 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

621-DMT47M2SFVWQ-7

制造商编号：

DMT47M2SFVWQ-7

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

数据表:

DMT47M2SFVWQ-7 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerDI3333-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	49.1 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	12.1 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.67 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降时间:	5.59 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4.54 ns
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	12.1 ns
典型接通延迟时间:	5.36 ns
单位重量:	30 mg

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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