High Power TVS Diodes in SMD Package

Bourns High Power TVS Diodes in SMD Package provides a 20% reduction in peak clamping voltage compared to the equivalent through-hole device because of its lower lead inductance. The result is reduced electrical stress on the protected circuitry. In addition, assembly should be simplified and costs can be reduced by eliminating the extra design step in cases where the Bourns Power TVS diode is the only through-hole component on the printed circuit board.

结果: 7
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 极性
通道数量
工作电压
端接类型
钳位电压
击穿电压
峰值脉冲电流
Cd - 二极管电容
最小工作温度
最大工作温度
产品
系列
封装
Bourns ESD保护二极管/TVS二极管 10kA 58V BI Surface Mt High Temp
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

Bidirectional 1 Channel 58 V SMD/SMT 110 V 64 V 10 kA 8 nF - 55 C + 125 C TVS Diodes PTVS10-SH Tray
Bourns ESD保护二极管/TVS二极管 3kA 58V BI Surface Mt High Temp
数据表
38库存量
最低： 1
倍数： 1
Bidirectional 1 Channel 58 V SMD/SMT 110 V 64 V 3 kA 2.3 nF - 55 C + 125 C TVS Diodes PTVS3-SH Tray
Bourns ESD保护二极管/TVS二极管 3kA 76V BI Surface Mt High Temp
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1
Bidirectional 1 Channel 76 V SMD/SMT 140 V 85 V 3 kA 1.7 nF - 55 C + 125 C TVS Diodes PTVS3-SH Tray
Bourns ESD保护二极管/TVS二极管 10kA 76V BI Surface Mt High Temp
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

Bidirectional 1 Channel 76 V SMD/SMT 140 V 85 V 10 kA 6 nF - 55 C + 125 C TVS Diodes PTVS10-SH Tray
Bourns ESD保护二极管/TVS二极管 86V 10kA BI-DIRECTIONAL
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 400
倍数： 400
: 400

Bidirectional 1 Channel 86 V SMD/SMT 157 V 96 V 10 kA 5 nF - 55 C + 125 C TVS Diodes PTVS10-M Reel
Bourns ESD保护二极管/TVS二极管 6 kA 58V BIDIRECT POWERTVS DIODE
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

Bidirectional 1 Channel 58 V SMD/SMT 110 V 64 V 6 kA 4.5 nF - 55 C + 125 C TVS Diodes PTVS6-SH Tray
Bourns ESD保护二极管/TVS二极管 6 kA 75V BIDIRECT POWERTVS DIODE
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

Bidirectional 1 Channel 76 V SMD/SMT 140 V 85 V 6 kA 3.3 nF - 55 C + 125 C TVS Diodes PTVS6-SH Tray