结果: 18
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 320A IGBT
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 320 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX8 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX4 TO-264(3)
数据表
无库存
最低： 1,000
倍数： 1,000
Si TO-264-3 Through Hole Single 750 V 2.1 V - 20 V, 20 V 240 A 880 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX22 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX3 ISOPLUS247
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 1
倍数： 1

ISO247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 72 A 390 W - 40 C + 150 C Trench - 650V - 1200V GenX4 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 110A XPT
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 250 A 880 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX5 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 70 A 230 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX10 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.5 V - 20 V, 20 V 62 A 230 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX11 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 115 A 455 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX13 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 110 A 455 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX15 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 180 A 625 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX20 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX4 TO-220AB/FP
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.95 V - 20 V, 20 V 38 A 160 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX31 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 1200V 30A XPT
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 106 A 500 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX42 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 30A XPT
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 500 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX43 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 30A XPT
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 30

TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V - 20 V, 20 V 94 A 500 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX44 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO220 1KV 24A IGBT
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 300
倍数： 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 1 kV 2.3 V - 20 V, 20 V 76 A 375 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX50 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 40A IGBT
数据表

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 140 A 600 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX45 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 1200V 20A XPT
数据表

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX48 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 20A IGBT
数据表

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 68 A 375 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX49 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO220 1KV 30A IGBT
数据表

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 106 A 500 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX51 Tube