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PMZB350UPE,315

Name: Nexperia PMZB350UPE,315
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMZB350UPE315
Price: 3.37 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

771-PMZB350UPE315

制造商编号：

PMZB350UPE,315

制造商：

Nexperia

说明：

MOSFET PMZB350UPE/SOT883B/XQFN3

数据表:

PMZB350UPE,315 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-1006-3
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	1.4 A
Rds On-漏源导通电阻:	940 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	450 mV
Qg-栅极电荷:	1.3 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	715 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Nexperia
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	10000
子类别:	Transistors
零件号别名:	934066841315
单位重量:	0.690 mg

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合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

PMZB350UPE 20V P 沟道沟槽式 MOSFET

恩智浦 PMZB350UPE 20V P 沟道沟槽式 MOSFET 是一款增强模式场效应晶体管（FET），采用无铅、超小型 DFN1006B-3（SOT883B）表面贴装器件（SMD）塑料封装。该器件运用沟槽式MOSFET 技术，阈值电压低，能快速开关，具有 1.8kV 静电放电保护。PMZB350UPE MOSFET 是继电器传动器、高速线路驱动器、高侧负载开关和开关电路的理想选择。
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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按10000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥3.8081	¥3.81
	¥2.6442	¥26.44
	¥1.6724	¥167.24
	¥1.0509	¥525.45
	¥0.91869	¥918.69
	¥0.85202	¥2,130.05
整卷卷轴（请按10000的倍数订购）
	¥0.61246	¥6,124.60

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

PMZB350UPE,315

制造商： Nexperia

说明： MOSFET PMZB350UPE/SOT883B/XQFN3

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