600V N沟道超级结功率MOSFET

Micro Commercial Components (MCC)  600V N沟道道超级结功率MOSFET具有低导通电阻、低导通损耗和软开关特性。这些MOSFET设计采用 集成快速反向恢复二极管。600V功率MOSFET具有超低  栅极电荷和低阻抗。这些MOSFET还达到环氧树脂UL 94V-0可燃性等级。该600V功率MOSFET不含铅和卤素,符合RoHS指令。典型应用包括交流-直流转换器、电机驱动器、LED驱动器、充电适配器、电源管理系统、微型太阳能逆变器和储能系统(ESS)。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET N-CHANNEL MOSFET, TOLL-8L-KS 2,000库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 19.5 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET N-CHANNEL MOSFET, TOLL-8L-KS 2,000库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 17.5 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 57 nC - 55 C + 150 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

Si Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 58 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 197 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement Bulk