Gen5 XPT IGBT

IXYS Gen5 XPT IGBT提供650V额定电压，35A至220A电流范围以及较低栅极电荷。这些晶体管具有低热阻，简化了与热相关的设计问题。第5代IGBT有三种等级可供选择。A类晶体管用于低速器件，优化用于需要0至5kHz开关频率的应用，而B类晶体管用于中速器件，优化用于需要5kHz至30kHz频率范围的应用。最后，C级晶体管设计用于高速设备，适用于20kHz至60kHz开关频率。适用于IXYS Gen5 XPT IGBT的应用包括电源逆变器、PFC电路、灯镇流器、电池充电器和焊接机。

结果: 15
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
数据表
61库存量
300预期 2027/1/18
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263AB-2 SMD/SMT Single 650 V 1.67 V 20 V 110 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
数据表
77库存量
300预期 2027/1/18
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263-2L SMD/SMT Single 650 V 1.3 V 20 V 122 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
数据表
70库存量
300预期 2027/1/18
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.68 V 20 V 230 A 750 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
数据表
596库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.15 V 20 V 510 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
数据表
355库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.2 V 20 V 400 A 1.15 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
数据表
400库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 510 A 1.61 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
数据表
395库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.2 V 20 V 340 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in SOT-227
数据表
396库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.2 V 20 V 390 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 120A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-268HV
数据表
253库存量
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 650 V 1.3 V 20 V 290 A 830 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in PLUS247
数据表
675库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 650 V 1.2 V 20 V 470 A 1.61 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263-2L SMD/SMT Single 650 V 1.27 V 20 V 130 A 326 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
数据表
378库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263-2 SMD/SMT Single 650 V 650 V 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220
数据表
291库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3L Through Hole Single 650 V 1.27 V 20 V 130 A 326 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD
数据表
297预期 2026/7/14
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.23 V 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 35A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-220
数据表
300预期 2026/10/7
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3L Through Hole Single 650 V 1.7 V 20 V 90 A 326 W - 55 C + 175 C Trench Tube