结果: 15
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
数据表
75库存量
300预期 2026/11/9
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263AB-2 SMD/SMT Single 650 V 1.67 V 20 V 110 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
数据表
74库存量
300预期 2026/11/9
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.68 V 20 V 230 A 750 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
数据表
77库存量
300预期 2026/9/29
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263-2L SMD/SMT Single 650 V 1.3 V 20 V 122 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
数据表
602库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.15 V 20 V 510 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
数据表
355库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.2 V 20 V 400 A 1.15 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
数据表
400库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 510 A 1.61 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
数据表
395库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.2 V 20 V 340 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in SOT-227
数据表
396库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.2 V 20 V 390 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 120A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-268HV
数据表
243库存量
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 650 V 1.3 V 20 V 290 A 830 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in PLUS247
数据表
685库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 650 V 1.2 V 20 V 470 A 1.61 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263-2L SMD/SMT Single 650 V 1.27 V 20 V 130 A 326 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
数据表
390库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263-2 SMD/SMT Single 650 V 650 V 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD
数据表
281库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.23 V 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220
数据表
391库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3L Through Hole Single 650 V 1.27 V 20 V 130 A 326 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 35A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-220
数据表
300预期 2026/9/9
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3L Through Hole Single 650 V 1.7 V 20 V 90 A 326 W - 55 C + 175 C Trench Tube