TC6215TG-G

Name: Microchip TC6215TG-G
Brand: Microchip Technology
SKU: 689-TC6215TG-G
Price: 13.54 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

689-TC6215TG-G

制造商编号：

TC6215TG-G

制造商：

Microchip Technology

说明：

MOSFET N & P Channel Enhanc ement Dual MOSFET

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数据表:

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封装:

整卷卷轴（请按3300的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥15.3002	¥15.30
	¥12.8255	¥320.64
整卷卷轴（请按3300的倍数订购）
	¥11.4921	¥37,923.93

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Microchip
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-8
晶体管极性:	N-Channel, P-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	1.5 A, 3.8 A
Rds On-漏源导通电阻:	4 Ohms, 7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Microchip Technology
配置:	Dual
下降时间:	11.3 ns, 11.1 ns
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2.3 ns, 2.3 ns
系列:	TC6215
工厂包装数量:	3300
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	17.2 ns, 16.2 ns
典型接通延迟时间:	2.5 ns, 2.4 ns
单位重量:	74 mg

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TC6215 N- and P-Channel MOSFETs

The Microchip TC6215 N-channel and P-channel enhancement mode dual MOSFET combines an advanced vertical DMOS structure and a high-quality gate manufacturing process to provide both the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. The Microchip TC6215 consists of high voltage, low threshold N-channel and P-channel MOSFETs in an 8-lead SOIC (TG) package. Both MOSFETs included in the TC6215 have integrated back to back gate-source Zener diode clamps and guaranteed Rds(on) ratings down to 4.0V gate drive, allowing them to be driven directly with standard 5.0V CMOS logic. These Microchip devices are free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.