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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V FS4 Trench IGBT
数据表
788库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 450

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65SQD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
数据表
427库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65SQDT Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/UPS
数据表
1,582库存量
1,230预期 2027/3/19
最低： 1
倍数： 1
最大： 270

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 50 A 349 W - 55 C + 175 C NGTB25N120FL3 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
数据表
1,872库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 150

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 80 A 454 W - 55 C + 175 C NGTB40N120FL3 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V FS4 Trench IGBT
数据表
151库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube