RQ3L060BGTB1

Name: ROHM Semiconductor RQ3L060BGTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3L060BGTB1
Price: 11.86 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

755-RQ3L060BGTB1

制造商编号：

RQ3L060BGTB1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET HSMT8 N-CH 60V 15.5A

数据表:

RQ3L060BGTB1 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解ROHM Semiconductor RQ3L060BGTB1详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HSMT-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	15.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	38 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	5.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	14 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	4.8 ns
正向跨导 - 最小值:	4 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4.3 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	18.5 ns
典型接通延迟时间:	7.4 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

RQ3L060BGTB1 数据表

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

RQ3L060BG功率MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET的漏源电压（V_DSS）为60V、连续漏极电流为±15.5A。该款N沟道MOSFET的低导通电阻（R_DS(on)）为38mΩ、功耗为14W。RQ3L060BG MOSFET的工作结温和存储温度范围为-55°C至150°C，采用无卤素、大功率小型模具封装 (HSMT8)。这款符合RoHS指令的器件采用无铅电镀。典型应用包括开关、电机驱动器和直流/直流转换器。