SIZ254DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIZ254DT-T1-GE3
SIZ254DT-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET PPAIR3X3 2NCH 70V 11.7A

数据表:
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库存量: 4,633

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥16.5432 ¥16.54
¥10.5881 ¥105.88
¥7.0964 ¥709.64
¥5.6161 ¥2,808.05
¥5.1415 ¥5,141.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥4.5878 ¥13,763.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR-3x3S-8
N-Channel
1 Channel
70 V
32.5 A
16.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Dual
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 5 ns, 6 ns
正向跨导 - 最小值: 45 S, 50 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: TrenchFET Gen IV Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 23 ns, 24 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
单位重量: 143.050 mg
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

Technical Resources

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiZ254DT双N沟道70V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiZ254DT双N沟道70V (D-S) MOSFET是TrenchFET® Gen IV功率MOSFET。SiZ254DT 70V MOSFET具有集成的MOSFET半桥功率级，并具有经过优化的Qgs/Qgs比，可提高开关特性。Vishay/Siliconix SiZ254DT双MOSFET非常适合用于POL、同步降压转换器、电信直流/直流、谐振转换器和电机驱动控制应用。

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