DMN1057UCA3-7

Diodes Incorporated
621-DMN1057UCA3-7
DMN1057UCA3-7

制造商：

说明：
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0607-3 T&R 10K

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Diodes Incorporated DMN1057UCA3-7详情

产品属性 属性值 选择属性
Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
X4-DSN0607-3
N-Channel
1 Channel
12 V
4.6 A
102 mOhms
8 V
1.3 V
1.47 nC
- 55 C
+ 150 C
1.81 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
下降时间: 9.8 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 12.7 ns
工厂包装数量: 10000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 2.6 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET的设计旨在将导通电阻 (RDS(ON)) 降低到最小，非常适合高效电源管理应用。该MOSFET具有低栅极电荷和低栅极到漏极电荷，能够实现快速切换性能。DMN1057UCA3 MOSFET采用紧凑型超低型设计，高度仅为0.26mm，非常适合空间受限的应用。该MOSFET的耗散功率高达1.81W，热阻高达198.6°C/W。DMN1057UCA3 N沟道MOSFET用于电池管理、负载开关和电池保护应用。

库存量: 4,738

库存：
4,738 可立即发货
生产周期：
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按10000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥3.2205 ¥3.22
¥1.9888 ¥19.89
¥1.2543 ¥125.43
¥0.93451 ¥467.26
¥0.74467 ¥744.67
¥0.64523 ¥3,226.15
整卷卷轴（请按10000的倍数订购）
¥0.56274 ¥5,627.40
¥0.51302 ¥10,260.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。