RRQ045P03HZGTR

Name: ROHM Semiconductor RRQ045P03HZGTR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RRQ045P03HZGTR
Price: 14.71 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RRQ045P03HZGTR

制造商编号：

RRQ045P03HZGTR

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET AECQ

数据表:

RRQ045P03HZGTR 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-457T-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	4.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	14 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.25 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	65 ns
正向跨导 - 最小值:	3.5 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	35 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	Small Signal MOSFET
典型关闭延迟时间:	110 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
零件号别名:	RRQ045P03HZG

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