EasyPACK™ TRENCHSTOP™ IGBT7模块

英飞凌EasyPACK ™ TRENCHSTOP™ IGBT7模块基于微型沟槽技术。  这样可降低损耗并提供高度可控性。该芯片专门优化用于工业驱动应用。该模块具有更低静态损耗、更高功率密度和更灵活的开关能力。通过将电源模块允许的最高工作温度提高到175 °C，可大幅提高功率密度。 

结果: 9
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数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
封装
Infineon Technologies IGBT 模块 950 V 400 A EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode
数据表
23库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules 1.23 V 200 A - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 Module with active Advanced Neutral Point Clamp topology and PressFIT / NTC
数据表
18库存量
最低： 1
倍数： 1

Modules 1.2 kV 1.65 V 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 25 A sixpack IGBT module
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 35 A sixpack IGBT module
数据表
26库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies F3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 950 V, 400 A 3-level IGBT module
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.4 V 220 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 950 V, 200 A 3-level IGBT module
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.27 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 EasyPACK module with active Neutral Point Clamp 2 topology and PressFIT / NTC
数据表
24在途量
最低： 1
倍数： 1

Modules 1.2 kV 1.63 V 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 50 A sixpack IGBT module
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7/4 and emitter controlled 7 diode and PressFIT / NTC
数据表
更多信息可用

IGBT Module 1.2 kV 1.5 V 100 nA 20 mW - 40 C + 150 C Tray