SSM6x N沟道和P沟道 MOSFET

Toshiba SSM6x N沟道和P沟道MOSFET具有高速切换能力，可用作电源管理和模拟开关。 这些MOSFET针对不同的栅极至源极电压范围提供非常低的导通电阻（低至1.1 mΩ，最大115 mΩ）。SSM6x MOSFET采用小型封装，兼容表面贴装。这些MOSFET具有低汲极至源极导通电阻，可用作DC转DC转换器，驱动1.2V至4.5V的闸极电压。Toshiba SSM6x MOSFET的汲极功耗较低（最高150 mW），在12V至100V输入电压范围内作业时发热较少。