PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET

Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET专为各种应用中的高效电源管理而设计。这些Nexperia MOSFET具有2.8mΩ至14mΩ低导通电阻 [RDS(on)]，并支持60V和100V漏-源电压 (VDS)。这些MOSFET优化实现了逻辑电平兼容性，适合用于二次侧同步整流、直流-直流转换器、电机驱动器、负载开关和LED照明。这些MOSFET采用热效率高的MLPAK33和MLPAK56封装，具有紧凑的占位面积和增强的热性能。PXNx系列具有低栅极电荷 (Qg) 和高雪崩坚固性等特性，确保在苛刻环境中运行可靠。

结果: 9
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 46 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 39 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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Si SMD/SMT MLPAK56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 184 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 51 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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Si SMD/SMT MLPAK56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 74 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 83 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 77 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 14.1 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 70 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 12.3 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 62 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 11 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 56 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 9.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel