LTC4372和LTC4373低IQ理想二极管控制器

Analog Devices Inc. LTC4372和LTC4373低I_Q理想二极管控制器设计用于驱动外部N沟道MOSFET，以替代肖特基二极管。与肖特基二极管相比，这些器件可控制MOSFET两端的正向压降，确保即使在轻负载时也能从一个路径向另一个路径提供更低损耗电流。LTC4372和LTC4373的工作电流低至5µA，关断电流低至0.5µA。这提高了理想二极管用于间歇负载或始终处于待机通道的应用中的效率，因此LTC4372和LTC4373适合用于便携式仪器、汽车和可再生能源领域的电池供电应用。此外，LTC4372和LTC4373还可控制背靠背N沟道MOSFET，用于浪涌电流控制和负载开关。