BM6337x/BM6357x IGBT智能功率模块

ROHM Semiconductor BM6337x/BM6357x IGBT智能功率模块 (IPM) 由栅极驱动器、自举二极管、IGBT和续流二极管组成。这些600V IPM的集电极电流为10A至30A。ROHM Semiconductor BM6337x/BM6357x器件非常适合AC100至240Vrms（DC电压：小于400V）级别的电机控制应用，以及诸如空调、洗衣机或冰箱的压缩机电机控制等其他应用。

结果: 16
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数量 RoHS ECAD模型 类型
集电极—发射极最大电压 VCEO
封装 / 箱体
安装风格
技术
最小工作温度
最大工作温度
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
数据表
98库存量
最低： 1
倍数： 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
数据表
40库存量
最低： 1
倍数： 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
数据表
64库存量
最低： 1
倍数： 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
数据表
56库存量
最低： 1
倍数： 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
数据表
37库存量
最低： 1
倍数： 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
数据表
60库存量
最低： 1
倍数： 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
数据表
56预期 2026/12/9
最低： 1
倍数： 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 60
倍数： 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 60
倍数： 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 60
倍数： 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 60
倍数： 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 60
倍数： 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 60
倍数： 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 60
倍数： 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 60
倍数： 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C