AFBR-S4N44P044M

Broadcom / Avago
630-AFBR-S4N44P044M
AFBR-S4N44P044M

制造商：

说明：
光电二极管 Silicon Photomultiplier - 光电二极管 2x2 SiPM Array PCB 4x4mm2 40um NUV-MT

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Broadcom / Avago AFBR-S4N44P044M详情

供货情况

库存：
0

您可以延期订购此产品。

在途量:
196
预期 2026/3/30
生产周期：
15
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥542.1175 ¥542.12
¥452.8701 ¥4,528.70
¥390.9122 ¥39,091.22
1,000 报价

产品属性 属性值 选择属性
Broadcom Limited
产品种类: 光电二极管
RoHS:  
Photodiode Arrays
SMD/SMT
420 nm
3.3 uA
32.5 V
55 ns
- 20 C
+ 50 C
AFBR
商标: Broadcom / Avago
湿度敏感性: Yes
产品类型: Photodiodes
工厂包装数量: 100
子类别: Optical Detectors & Sensors
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541490000
CAHTS:
8541490010
USHTS:
8541491050
JPHTS:
854149000
TARIC:
8541490000
BRHTS:
85414900
ECCN:
EAR99

AFBR-S4N44P044M 2×2 NUV-MT光电倍增阵列管

Broadcom AFBR-S4N44P044M 2×2 NUV-MT硅光电倍增阵列是为单光子的超灵敏精密测量而设计的理想产品。SiPM采用NUV-MT，与NUV-HD技术相比，，该技术结合了改进的光检测效率（PDE），并降低了暗计数率和串扰。AFBR-S4N44P0044M在两个方向上的间距均为4mm。平铺多个AFBR-S4N44P0044M阵列可以覆盖8.3mm间距的更大区域，而不会有任何边缘损耗。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。