RV7E035ATTCR1

ROHM Semiconductor
755-RV7E035ATTCR1
RV7E035ATTCR1

制造商：

说明：
MOSFET Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET : RV7E035AT is a MOSFET, suitable for switching circuits and High side Load switch.

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥6.9495 ¥6.95
¥4.3279 ¥43.28
¥2.7911 ¥279.11
¥2.1357 ¥1,067.85
¥1.9323 ¥1,932.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥1.6272 ¥4,881.60
¥1.4916 ¥8,949.60
¥1.3673 ¥12,305.70

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
DFN1212-3
P-Channel
1 Channel
30 V
3.5 A
78 mOhms
20 V
2.5 V
4.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 8.5 ns
正向跨导 - 最小值: 2.5 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

RV7E035AT P沟道小信号MOSFET

ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET是一款紧凑型高性能器件，设计用于低压开关应用。RV7E035AT采用节省空间的TUMT3封装，具有出色的开关特性和低导通电阻，因此非常适合用于便携式和电池供电电子设备。该MOSFET具有-30V的漏源电压（VDS）、-3.5A的漏极连续电流（ID），以及VGS =-4.5V时仅47mΩ的低导通电阻[RDS(on)]，可确保高效的电源管理和极低的发热量。ROHM Semiconductor RV7E035AT针对高速开关进行了优化，非常适合用于紧凑型电子设备中的负载开关、DC-DC转换器和电源管理电路。稳健的设计和出色的热效率使其在严苛环境中也能可靠运行。

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