RV7E035ATTCR1

Name: ROHM Semiconductor RV7E035ATTCR1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RV7E035ATTCR1
Price: 5.86 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RV7E035ATTCR1

制造商编号：

RV7E035ATTCR1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET : RV7E035AT is a MOSFET, suitable for switching circuits and High side Load switch.

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新产品:

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¥-.--

总价:

¥-.--

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数量	单价	总价
	¥6.6218	¥6.62
	¥4.0906	¥40.91
	¥2.7007	¥270.07
	¥2.1131	¥1,056.55
	¥1.808	¥1,808.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.5142	¥4,542.60
	¥1.3786	¥8,271.60
	¥1.2769	¥11,492.10
	¥1.2317	¥29,560.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN1212-3
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	3.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	78 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	4.3 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.1 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	8.5 ns
正向跨导 - 最小值:	2.5 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	28 ns
典型接通延迟时间:	8 ns

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数据表

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RV7E035AT P沟道小信号MOSFET

ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET是一款紧凑型高性能器件，设计用于低压开关应用。RV7E035AT采用节省空间的TUMT3封装，具有出色的开关特性和低导通电阻，因此非常适合用于便携式和电池供电电子设备。该MOSFET具有-30V的漏源电压（V_DS）、-3.5A的漏极连续电流（ID），以及V_GS =-4.5V时仅47mΩ的低导通电阻[R_DS(on)]，可确保高效的电源管理和极低的发热量。ROHM Semiconductor RV7E035AT针对高速开关进行了优化，非常适合用于紧凑型电子设备中的负载开关、DC-DC转换器和电源管理电路。稳健的设计和出色的热效率使其在严苛环境中也能可靠运行。