R8006KNXC7G

ROHM Semiconductor
755-R8006KNXC7G
R8006KNXC7G

制造商：

说明：
MOSFET TO220 800V 6A N-CH MOSFET

数据表:
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库存量: 378

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥38.2166 ¥38.22
¥25.2329 ¥252.33
¥17.7862 ¥1,778.62
¥15.2211 ¥7,610.55
¥14.3058 ¥14,305.80

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FM-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
900 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
Tube
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 45 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
零件号别名: R8006KNX
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

R8006KNX N通道800V 6A功率MOSFET

ROHM Semiconductor R8006KNX N沟道800V 6A功率MOSFET是一款低导通电阻可快速开关的器件。R8006KNX采用无铅电镀，符合RoHS指令。这些MOSFET可轻松实现并行使用。

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