FS3L50R07W2H3_B11

Name: Infineon FS3L50R07W2H3_B11
Brand: Infineon Technologies
SKU: 641-FS3L50R07W2H3_B1
Price: 324.86 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

641-FS3L50R07W2H3_B1

制造商编号：

FS3L50R07W2H3_B11

制造商：

Infineon Technologies

说明：

IGBT 模块 650 V, 50 A 3-level IGBT module

数据表:

FS3L50R07W2H3_B11 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	IGBT 模块
RoHS:
产品:	IGBT Silicon Modules
配置:	3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.45 V
在25 C的连续集电极电流:	75 A
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
Pd-功率耗散:	215 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
技术:	Si
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
产品类型:	IGBT Modules
系列:	High Speed IGBT H3
工厂包装数量:	15
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	EasyPACK
零件号别名:	SP001208666 FS3L50R07W2H3B11BPSA1
单位重量:	39 g

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数据表

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Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 德国
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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