2N7002AK-QR

Name: Nexperia 2N7002AK-QR
Brand: Nexperia
SKU: 771-2N7002AK-QR
Price: 1.17 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

771-2N7002AK-QR

制造商编号：

2N7002AK-QR

制造商：

Nexperia

说明：

MOSFET 2N7002AK-Q/SOT23/TO-236AB

数据表:

2N7002AK-QR 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-23
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	240 mA
Rds On-漏源导通电阻:	3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.6 V
Qg-栅极电荷:	210 pC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	320 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Nexperia
下降时间:	6 ns
正向跨导 - 最小值:	0.3 S
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	1 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	2 ns
典型接通延迟时间:	1 ns
零件号别名:	934665128215

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数据表

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Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

2N7002AK沟道沟槽式MOSFET

Nexperia 2N7002AK N沟道沟槽MOSFET是采用沟槽MOSFET技术的小型表面贴装（SMD）塑料封装的增强模式场效应晶体管（FET）。这些AEC-Q101合规器件可在宽-55°C至+175°C结温范围内提供逻辑电平兼容性。Nexperia 2N7002AK N沟道沟槽MOSFET的应用包括继电器和高速线路驱动器、低侧负载开关和开关电路。