2SK3564 MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Toshiba MOSFET N-Ch 900V 3A Rdson 4.3 Ohm
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Si Through Hole SC-67-3 N-Channel 1 Channel 900 V 3 A 4.3 Ohms 30 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSIV
STMicroelectronics MOSFET N-channel 900 V, 4.1 Ohm typ., 3 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP package
1,986在途量
¥18.4416
¥8.9383
¥7.9778
¥6.3393
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 3 A 4.8 Ohms 30 V 3 V 22.7 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement SuperMESH Tube
Toshiba MOSFET X33 POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS MOQ=50 PD=40W F=1MHZ 590库存量
¥20.0123
¥12.7351
¥8.5202
¥6.9382
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole SC-67-3 N-Channel 1 Channel 900 V 3 A 4.3 Ohms 10 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSIV Tube