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2SK3798 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET Toshiba 2SK3798 2SK3798 Toshiba	制造商零件编号 2SK3798 Mouser 零件编号未分配	Toshiba	MOSFET		N/A		无库存，请致电询价			Si	Through Hole	SC-67-3	N-Channel	1 Channel	900 V	4 A	3.5 Ohms	30 V	2 V	26 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	MOSIV
	MOSFET X33 POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(SIS) MOQ=2500 PD=40W F=1MHZ 2SK3798(STA4,Q,M) Toshiba 1: ¥17.6958 12库存量寿命结束	制造商零件编号 2SK3798(STA4,Q,M) Mouser 零件编号 757-2SK3798STA4QM 寿命结束	Toshiba	MOSFET X33 POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(SIS) MOQ=2500 PD=40W F=1MHZ	数据表	12库存量	¥17.6958 ¥11.2548 ¥7.0512 ¥5.7969 查看 ¥5.2093 ¥4.9268 ¥4.8703	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	SC-67-3	N-Channel	1 Channel	900 V	4 A	3.5 Ohms	10 V	2 V	26 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	MOSIV	Tube

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