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RoHS

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SIR5812DP-T1-RE3

Vishay

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SIR5812DP-T1-RE3

制造商编号：

SIR5812DP-T1-RE3

制造商：

Vishay

说明：

MOSFET PPAKSO8 N-CH 80V 13A

数据表:

SIR5812DP-T1-RE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-SO-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	45.3 A
Rds On-漏源导通电阻:	13.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	10 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	50 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Vishay
配置:	Single
下降时间:	5 ns
正向跨导 - 最小值:	20 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	7 ns
系列:	SIR
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	TrenchFET Gen V Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	10 ns
典型接通延迟时间:	11 ns

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

SIR5812DP-T1-RE3 数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

VISHAY

SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET

该器件非常适合汽车、电源分配和工业功率控制应用。

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SiEH4800EW 80 V TrenchFET®第四代N沟道MOSFET

采用PowerPAK^® 8mmx8mm BWL封装，导通电阻为0.00115Ω。

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SiJK140E N 沟道 40 V (D-S) MOSFET

采用TrenchFET^® 第五代功率技术，非常适用于同步整流和自动化。

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采用PowerPAK® 10x12封装的超结MOSFET

具备先进技术，可优化效率并尽可能降低导通过程中的功率损耗。

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库存量: 6,070

库存：: 6,070 可立即发货

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生产周期：: 38 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 6000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥12.2379	¥12.24
	¥5.7517	¥57.52
	¥5.1076	¥510.76
	¥4.0002	¥2,000.10
	¥3.9663	¥3,966.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥3.164	¥9,492.00