726-IAUCN04S7N040HAT MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
数据表
927库存量
剪切带
¥17.7862
¥8.5993
¥7.684
¥6.102
查看
卷轴
¥5.0737
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 82 A 4.01 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
数据表
1,572库存量
剪切带
¥17.9444
¥8.6897
¥7.458
¥6.1585
查看
卷轴
¥5.1302
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 5 mOhms 16 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape