747-IXFT320N10T2 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
数据表
945库存量
3,510在途量
¥215.8865
¥152.1997
¥140.12
¥138.7188
报价
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 100V 320A N-CH TRENCH
数据表
无库存交货期 22 周
卷轴
¥137.3063
报价
最低： 400
倍数： 400
: 400
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) 1 Channel 200 V 180 A 7.5 mOhms 20 V 2 V 154 nC 735 W Enhancement TrenchT2 Reel