RQ3N025ATTB1

ROHM Semiconductor
755-RQ3N025ATTB1
RQ3N025ATTB1

制造商：

说明：
MOSFET Pch -80V -2.5A, HSMT8, Power MOSFET

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 2,900

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥11.0062 ¥11.01
¥6.893 ¥68.93
¥4.5539 ¥455.39
¥3.5369 ¥1,768.45
¥3.2205 ¥3,220.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥2.7911 ¥8,373.30
¥2.5877 ¥15,526.20
¥2.5764 ¥23,187.60

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
HSMT-8
P-Channel
1 Channel
80 V
7 A
240 mOhms
20 V
4 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
14 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 15 ns
正向跨导 - 最小值: 2.4 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6.4 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 8.6 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

RQxAT P沟道MOSFET

ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET采用表面贴装封装，具有低导通电阻，且100%经过Rg和UIS测试。 此系列P沟道MOSFET的栅源电压为 ±20V。RQ3N025AT和RQ5L030AT MOSFET的最大漏源导通电阻分别为240mΩ 和99mΩ 。此系列P沟道MOSFET符合RoHS标准，且不含卤素。RQ3N025AT和RQ5L030AT MOSFET的漏源电压分别为-80V和-60V。该系列P沟道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。典型应用包括开关和电机驱动器。

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