NCP51561DADWR2G

Name: onsemi NCP51561DADWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCP51561DADWR2G
Price: 26.86 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NCP51561DADWR2G

制造商编号：

NCP51561DADWR2G

制造商：

onsemi

说明：

电流隔离式栅极驱动器 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver

数据表:

NCP51561DADWR2G 数据表

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数量	单价	总价
	¥30.3518	¥30.35
	¥22.9164	¥229.16
	¥21.0067	¥525.17
	¥19.0292	¥1,902.92
	¥18.532	¥4,633.00
	¥16.4641	¥8,232.05
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥16.1251	¥16,125.10
	¥15.6279	¥31,255.80
	¥15.4697	¥77,348.50

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	电流隔离式栅极驱动器
RoHS:
系列:	NCP51561
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-16
通道数量:	2 Channel
绝缘电压:	5 kVrms
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
传播延迟—最大值:	58 ns
上升时间:	11 ns
下降时间:	10 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Dual
输入电压 - 最大值:	5 V
输入电压 - 最小值:	3 V
最大关闭延迟时间:	58 ns
最大开启延迟时间:	58 ns
激励器数量:	2 Driver
输出端数量:	2 Output
输出电流:	4.5 A, 9 A
输出电压:	18.5 V to 30 V
产品:	Gate Driver
产品类型:	Galvanically Isolated Gate Drivers
工厂包装数量:	1000
子类别:	PMIC - Power Management ICs
电源电压-最大:	5 V
电源电压-最小:	3 V

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

NCP51561 5kVRMS隔离式双通道栅极驱动器

安森美半导体NCP51561 5kVRMS隔离式双通道栅极驱动器设计用于快速开关，以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET电源开关。4.5A/9.0A NCP51561栅极驱动器具有较短和匹配的传播延迟。两个独立和5kV_RMS（符合UL1577标准）电流隔离栅极驱动器通道可用于两个低侧、两个高侧开关或一个具有可编程死区时间的半桥驱动器的任何可能配置。使能引脚在设置为低电平时同时关断两个输出。NCP51561栅极驱动器集成了其他重要保护功能，例如用于栅极驱动器和使能功能的独立欠压锁定。

工业电机驱动器

安森美电机驱动器设计用于实现全球可持续性，提供高效、可再生能源技术和智能电源。根据美国能源部 (DOE) 发布的《2020年电机系统市场分析报告》(MSMA)，工业泵和驱动器每年消耗全美电网近15%的电量。该报告还预测，使用VFD每年可以减少32.3万吨二氧化碳的排放安森美生产多种VFD半导体组件，包括栅极驱动器、MOSFET、IGBT和EliteSiC。

云电源管理解决方案

安森美 (onsemi) 云电源管理解决方案为基础设施提供必不可少的计算和连接功能，对于处理器、存储库和无线基站的供电至关重要。随着业务向云端转移，效率和可靠性的重要性日益凸显。AI服务器尤其需要可靠的电源来确保最佳性能和效率，因此对于AI驱动的业务来说，要维护其完整性和功能性，安森美解决方案不可或缺。安森美提供AC-DC转换、多相转换、负载点电源和热插拔保护等阵容丰富的解决方案，能满足云端基础设施的各类电源需求。凭借尖端的技术、可靠的性能和深厚的专业应用知识，无论是对于当前的基站、服务器还是数据中心，安森美都是理想的供电合作伙伴。

栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET

电动汽车充电、能量储存、不间断电力系统 (UPS) 和太阳能等能源基础设施应用正在将系统功率水平提升到数百千瓦甚至兆瓦。这些大功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑，逆变器和BLDC的工作循环多达六个开关。根据功率等级和开关速度，系统设计人员需要采用各种开关技术，包括硅、IGBT和SiC，以满足最佳应用要求。