RBN40H65T1FPQ-A0#CB0

Renesas Electronics
968-N40H65T1FPQA0CB0
RBN40H65T1FPQ-A0#CB0

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) POWER TRANSISTOR 650V 40A IGBT G8H

寿命周期:
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数据表:
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¥-.--
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数量 单价
总价
¥157.0813 ¥157.08
¥119.6896 ¥1,196.90
¥99.6773 ¥9,967.73
¥88.8406 ¥44,420.30
¥84.1172 ¥84,117.20

产品属性 属性值 选择属性
Renesas Electronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247A-3
Through Hole
Single
650 V
1.5 V
- 20 V, 20 V
80 A
185 W
+ 175 C
Tray
商标: Renesas Electronics
集电极最大连续电流 Ic: 40 A
栅极—射极漏泄电流: 1 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 25
子类别: IGBTs
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
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