AFGH4L40T120RW 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 40A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 4L 436库存量
¥79.4051
¥54.5112
¥41.4371
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.66 V 20 V 80 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L40T120RW Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 40A SCR IGBT TO247 4L IGBT STAND-ALONE (LOW COST) 450库存量
¥71.8002
¥49.0533
¥36.3069
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-4LD Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 80 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L40T120RW-STD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 40A SCR IGBT TO247 4L COPACK (LOW COST) 396库存量
¥80.8967
¥55.6638
¥42.5106
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-4LD Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 80 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L40T120RWD-STD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 40A SCR IGBT TO247 4L 899库存量
¥92.9764
¥64.4326
¥51.0308
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.66 V 20 V 80 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L40T120RWD Tube