.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

AFGHL50T65SQD 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	系列	资格	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V50A FS4 IGBT TO-247LL AFGHL50T65SQD onsemi 1: ¥57.0763 694库存量	制造商零件编号 AFGHL50T65SQD Mouser 零件编号 863-AFGHL50T65SQD	onsemi	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V50A FS4 IGBT TO-247LL 了解更多关于onsemi on semi afghl40t65sqd afghl50t65sqd igbts 的信息	数据表	694库存量	¥57.0763 ¥32.5892 ¥26.7132 ¥24.8939	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.6 V	20 V	80 A	268 W	- 55 C	+ 175 C	AFGHL50T65SQD	AEC-Q101	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD AFGHL50T65SQDC onsemi 1: ¥102.2424 814库存量工厂特别订单	制造商零件编号 AFGHL50T65SQDC Mouser 零件编号 863-AFGHL50T65SQDC 工厂特别订单	onsemi	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD 了解更多关于onsemi on semiconductor afghl50t65sqdc igbt 的信息	数据表	814库存量	¥102.2424 ¥61.2912 ¥53.9349	最低： 1 倍数： 1			SiC	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.6 V	- 20 V, 20 V	100 A	268 W	- 55 C	+ 175 C	AFGHL50T65SQDC	AEC-Q101	Tube

AFGHL50T65SQD 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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