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AG042FGS4FRATCB

Name: ROHM Semiconductor AG042FGS4FRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-AG042FGS4FRATCB
Price: 18.96 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

755-AG042FGS4FRATCB

制造商编号：

AG042FGS4FRATCB

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Nch 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems.

寿命周期:

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数据表:

AG042FGS4FRATCB 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HPLF-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	120 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	19.1 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	75 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	9.4 ns
正向跨导 - 最小值:	15 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	11 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	42 ns
典型接通延迟时间:	15 ns

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数据表

AG042FGS4FRATCB 数据表

Specification Sheets

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合规代码

USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V_DSS to 100V_DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R_DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

特色产品

ROHM SEMICONDUCTOR

600V超接合点（SJ）MOSFET

紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。

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RH7G03BBJFRA P沟道功率MOSFET

该功率MOSFET的VDSS额定值为-40V，ID额定值（VDS =-10V）为±22A。

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RJ1P10BAT P沟道功率MOSFET

该MOSFET的VDSS额定值为-100V，ID额定值（VDS=10V）为±105A。

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RD3x汽车N沟道功率MOSFET

AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。

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RQxAT P沟道MOSFET

采用表面贴装封装，具有低导通电阻，且100%经过Rg和UIS测试。

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供货情况

库存：: 0

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出现意外错误。请稍候重试。
在途量:: 3,000

预期 2026/11/25
生产周期：: 32

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥21.4248	¥21.42
	¥10.5881	¥105.88
	¥9.3451	¥934.51
	¥7.5484	¥3,774.20
	¥7.2998	¥7,299.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥6.0342	¥18,102.60

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

AG042FGS4FRATCB

制造商： ROHM Semiconductor

说明： MOSFET Nch 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems.

规格

文件 (3)

数据表

Specification Sheets

环境文件

产品与贸易合规

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AEC-Q101 Automotive MOSFETs

电动汽车 (EV) 解决方案

特色产品 ROHM SEMICONDUCTOR

供货情况

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制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Nch 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems.

特色产品

ROHM SEMICONDUCTOR