SI4447ADY-T1-GE3

Name: Vishay SI4447ADY-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI4447ADY-T1-GE3
Price: 7.69 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SI4447ADY-T1-GE3

制造商编号：

SI4447ADY-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8

数据表:

SI4447ADY-T1-GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	7.2 A
Rds On-漏源导通电阻:	45 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.2 V
Qg-栅极电荷:	25 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	4.2 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	9 ns
正向跨导 - 最小值:	14 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	12 ns
系列:	SI4
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	30 ns
典型接通延迟时间:	7 ns
单位重量:	187 mg

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数据表

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Application Notes

Mounting LITTLE FOOT‚ SO-8 Power MOSFETs

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Si4 MOSFET

Vishay/Siliconix Si4 MOSFET是TrenchFET^®功率MOSFET，用于放大电子信号。这些Si4 MOSFET有N沟道、P沟道以及N和P沟道可供选择。 Si4 MOSFET具有不同的V_GS、 V_DS和温度范围。该Si4 MOSFET以增强模式工作，用于在电子信号之间进行切换。这些MOSFET为表面贴装，100%经过R_g和 UIS测试，采用卷带封装。
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库存量: 667

库存：: 667

可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
在途量:: 25,000

预期 2027/6/17

12,500

预期 2028/3/9
生产周期：: 38

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 2500

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥8.6897	¥8.69
	¥5.3449	¥53.45
	¥3.5143	¥351.43
	¥2.9832	¥1,491.60
	¥2.7572	¥2,757.20
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥2.147	¥5,367.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SI4447ADY-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductors

说明： MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8

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