IRLHS6276TRPBF

Infineon Technologies
942-IRLHS6276TRPBF
IRLHS6276TRPBF

制造商：

说明：
MOSFET 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
2 Channel
20 V
4.5 A
45 mOhms
12 V
1.8 V
3.1 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
产品类型: MOSFETs
系列: Dual N-Channel
工厂包装数量: 4000
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
单位重量: 43 mg
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
英国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

功率MOSFET

Infineon率先采用HEXFET功率MOSFET技术，于1979年开发并推出首款六角形拓扑MOSFET。这些新开发的产品仅在四年后即取得了各种专利权，从那时起，大多数MOSFET制造商已经准许各类设计和工艺进入该市场。IR产品具有市场上同类产品中最低的MOSFET导通电阻，让功率转换子系统设计实现了出色的效率。IR将先进的硅技术与创新封装技术相结合。与采用相同占位的标准封装相比，IR POWIRTAB™、Super-220™和Super-247™封装可让每个器件最多承载20A的电流，从而提高了功率密度。IR的FlipFET®封装技术与标准的表面贴装焊接技术兼容，提供100％的硅与占位比，其性能与外形是其3倍大的传统封装相同，因此非常适合用于便携式电话或笔记本电脑等便携式设备。IR的DirectFET®封装支持通过封装顶部从板上吸走热量，从根本上改善了标准SO-8封装的热管理。因此，DirectFET MOSFET可以在为下一代微处理器供电的大电流电路中将电流密度提高一倍，同时将热管理成本降低一半。

库存量: 7,705

库存：
7,705 可立即发货
生产周期：
3 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按4000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥7.7744 ¥7.77
¥3.5595 ¥35.60
¥3.1527 ¥315.27
¥2.4182 ¥1,209.10
¥2.3052 ¥4,610.40
整卷卷轴（请按4000的倍数订购）
¥1.8532 ¥7,412.80
¥1.6046 ¥12,836.80
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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