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现货

RoHS

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AUIRFZ44Z

Infineon Technologies

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

942-AUIRFZ44Z

制造商编号：

AUIRFZ44Z

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.9mOhms

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

AUIRFZ44Z 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	55 V
Id-连续漏极电流:	51 A
Rds On-漏源导通电阻:	13.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	43 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	80 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q100
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	41 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	68 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	33 ns
典型接通延迟时间:	14 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

AUIRFZ44Z 数据表 (PDF)

EOL

Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 墨西哥
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 1

库存：: 1 可立即发货

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输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥23.6622	¥23.66
	¥15.3002	¥153.00
	¥10.509	¥1,050.90
	¥9.3451	¥4,672.55
	¥7.8874	¥7,887.40
	¥7.6162	¥15,232.40
	¥7.4015	¥37,007.50