BFU530X 射频(RF)双极晶体管

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 系列
晶体管类型
技术
晶体管极性
工作频率
直流集电极/Base Gain hfe Min
集电极—发射极最大电压 VCEO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极连续电流
最小工作温度
最大工作温度
配置
安装风格
封装 / 箱体
封装
NXP Semiconductors 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
数据表
2,821库存量
剪切带
¥12.5769
¥8.6897
¥6.78
¥6.0907
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最低： 1
倍数： 1
BFU530XR Bipolar Wideband Si NPN 11 GHz 60 12 V 2 V 40 mA - 40 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-143R-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
数据表
1,543库存量
剪切带
¥12.5769
¥8.6897
¥6.78
¥6.0907
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最低： 1
倍数： 1
BFU530XR Bipolar Wideband Si NPN 11 GHz 60 12 V 2 V 40 mA - 40 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-143R-4 Reel, Cut Tape