BLP0427M9S20XY 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0427M9S20/TO270/REEL 98库存量
剪切带
¥246.001
¥196.9477
¥182.6419
卷轴
¥170.2345
¥154.0981
最低: 1
倍数: 1
: 100
N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 400 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0427M9S20Z/SOT1482/REELDP
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N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 400 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel