BSC080N12LS-G MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies MOSFET TRENCH >=100V
数据表
不可用
Si Reel
Infineon Technologies MOSFET TRENCH >=100V
数据表
993库存量
剪切带
¥32.9169
¥21.5039
¥15.6279
¥13.1532
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最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 99 A 8 mOhms 20 V 2.4 V 79 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape