BSD316SN MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装

Infineon Technologies MOSFET
数据表
N/A
Si

Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
数据表
25,420库存量
剪切带
¥3.3109
¥1.7402
¥1.1865
¥0.83507
卷轴
¥0.66218
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 1 Channel 30 V 1.4 A 192 mOhms 20 V 1.6 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel