BSG0811ND MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V
数据表
680库存量
剪切带
¥31.0976
¥20.2609
¥14.2267
¥11.9102
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卷轴
¥10.4186
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT TISON-8 N-Channel 2 Channel 25 V 50 A, 50 A 2.4 mOhms, 3.2 mOhms 16 V 1.6 V 5.6 nC, 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W, 6.25 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V
数据表
115库存量
10,000预期 2027/4/15
剪切带
¥30.1032
¥17.6167
¥13.9781
¥11.5825
查看
卷轴
¥10.4186
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT TISON-8 N-Channel 2 Channel 25 V 50 A, 50 A 2.4 mOhms, 3.2 mOhms 16 V 1.6 V 5.6 nC, 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W, 6.25 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel