BSZ010NE2LS5 MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies MOSFET TRENCH <= 40V
数据表
不可用
Si Reel
Infineon Technologies MOSFET TRENCH <= 40V
数据表
2,085库存量
剪切带
¥24.7357
¥12.2379
¥11.0062
¥8.9383
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最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 1 mOhms 16 V 2 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel