BSZ011NE2LS5I MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V
数据表
N/A
Si Reel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V
数据表
4,420库存量
剪切带
¥21.0971
¥11.413
¥9.3451
¥8.0456
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卷轴
¥7.5597
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 1.1 mOhms 16 V 2 V 37 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape