BUL1102E 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 配置 最大直流电集电极电流 集电极—发射极最大电压 VCEO 发射极 - 基极电压 VEBO 集电极—射极饱和电压 Pd-功率耗散 最大工作温度 系列 封装
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor 513库存量
¥17.3681
¥9.8423
¥7.4241
¥5.9664
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 4 A 450 V 12 V 1.5 V 70 W + 150 C BUL1102E Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor 3,147库存量
11,000预期 2026/11/4
¥18.4416
¥8.9383
¥7.9665
¥6.3393
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 NPN Single 4 A 450 V 12 V 1.5 V 30 W + 150 C BUL1102E Tube