BUL1203EFP 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
最大直流电集电极电流
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—基极电压 VCBO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—射极饱和电压
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PWR BIP/S.SIGNAL
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数据表
Si Through Hole TO-220FP-3 NPN Single 5 A 550 V 1.2 kV 9 V 36 W - 65 C + 150 C BUL1203EFP Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) N Ch 550V 5A PWR TRANS
数据表
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Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 5 A 550 V 1.2 kV 9 V 1.5 V 100 W - 65 C + 150 C BUL1203E Tube