CSD19536KTT MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Texas Instruments MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19536KTTT
25,648在途量
剪切带
¥46.4091
¥25.4815
¥23.2441
卷轴
¥19.6055
最低: 1
倍数: 1
: 500
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 272 A 2.4 mOhms 20 V 2.1 V 118 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19536KTT 1,627库存量
2,200在途量
剪切带
¥64.9298
¥34.9848
卷轴
¥34.9848
¥30.5213
¥29.2783
最低: 1
倍数: 1
: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 272 A 2.4 mOhms 20 V 2.1 V 118 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel