CSD19537Q3 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Texas Instruments MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T
46,531在途量
剪切带
¥18.4416
¥11.4921
¥7.6162
¥6.0342
¥5.3675
卷轴
¥5.3675
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,001
: 2,500
Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 14.5 mOhms 20 V 2.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3 15,573库存量
剪切带
¥18.9388
¥9.1869
¥7.1981
卷轴
¥7.1981
¥6.2263
最低: 1
倍数: 1
: 250
Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 53 A 14.5 mOhms 20 V 2.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel