CSD19538Q3A MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装

Texas Instruments MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT
10,000预期 2027/4/12
剪切带
¥8.5202
¥3.9098
¥3.4578
¥2.6668
卷轴
¥2.0792
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 61 mOhms 20 V 3.2 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A
44,921在途量
剪切带
¥17.0404
¥8.1812
¥6.3732
卷轴
¥6.3732
¥5.5031
最低: 1
倍数: 1
: 250
Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 15 A 61 mOhms 20 V 3.2 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel