CSD25402Q3A MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装

Texas Instruments MOSFET -0-V, P channel NexFET power MOSFET, single SON mm x mm, 8.9 mOhm
61,906在途量
剪切带
¥11.0062
¥5.1302
¥4.5539
¥3.5369
卷轴
¥2.8589
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT VSONP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 76 A 8.9 mOhms 12 V 650 mV 7.5 nC - 55 C + 125 C 69 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET -20-V, P channel NexFET power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 8.9 mOhm
1,950预期 2027/6/28
剪切带
¥14.9725
¥7.1416
¥5.537
卷轴
¥5.537
¥4.7573
最低: 1
倍数: 1
: 250
Si SMD/SMT SON-8 P-Channel 1 Channel 20 V 76 A 300 mOhms 12 V 1.15 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel